Сетевое зарядное устройство EnZo, Япония

Сетевое зарядное устройство EnZo GaN PRO USB Type-C+А 20W PD/QC белый W20-1C1A.
Технология GaN в зарядных устройствах — это сравнительно новый подход в производстве полупроводниковых компонентов, который позволяет заменить традиционный кремний в микросхемах на нитрид галлия. И у этой замены масса преимуществ - преимущества GaN-зарядок:
Высокая эффективность и меньшее выделение тепла: GaN-транзисторы более эффективны, чем кремниевые, и могут работать при более высоких напряжениях, частотах и температурах. Все это обеспечивает значительно меньшую теплоотдачу. Соответственно, даже при высокой мощности сам адаптер греется гораздо меньше.

Меньший размер: благодаря высокой эффективности и способности работать при более высоких частотах, GaN-транзисторы могут быть меньше по размеру, чем кремниевые. Это позволяет производить более компактные зарядные устройства.

Высокая мощность и скорость зарядки: GaN-зарядки могут предложить большую мощность, чем их кремниевые аналоги, что делает их идеальными для быстрой зарядки. Это особенно важно для ноутбуков и смартфонов.

Энергоэффективность: они более энергоэффективны, поскольку нитрид галлия обладает более низким сопротивлением по сравнению с кремнием, что приводит к меньшим потерям мощности во время работы устройства. Соответственно GaN-зарядки имеют более высокий КПД при преобразовании электрической энергии. В долгосрочной перспективе это свойство может способствовать снижению затрат на электроэнергию.

Устойчивость к высоким температурам: GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надежнее в экстремальных условиях.